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基本信息

GJB 33.2-87
半导体分立器件详细规范GP、GT和GCT级3DD3767型NPN硅功率晶体管详细规范
Detail specification for discrete semiconductor devices NPN silicon power transistor,Type 3DD3767 class GP.GT and GCT
1987-08-07
1988-03-01
有效
电子工业部卫光电工厂电子部标准化研究
电子工业部
国防科学技术工业委员会
安全工作区;半导体分立器件;功率晶体管;负载条件;测试方法
【范围】 1.1 范围 本规范规定了NPN硅功率晶体管的详细要求,器件按照GJB33—35的规定。提供三个产 品保证等级。 1.2 外形尺寸 外形尺寸见图1。 {64ef02a92a62ec374a8fde6ce0158428.jpg}1.3 最大额定值: {afddde97717d7e33718a42adefefd1a8.jpg} {7256e519afe94988206e7896a6ae95f9.jpg}
【与前一版的变化】

引用文件/被引文件

半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
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半导体分立器件整流二极管空白详细规范

包含图表

外形尺寸
最大额定值
主要电特性
筛选
A组检验
A组检验
A组检验
B组检验GP、GT和GCT器
B组检验GP、GT和GCT器
C组检验
C组检验
A组、B组和C组最后测
A组、B组和C组最后测
开关时间测试电路
最大直流安全作区
开关安全工作区--饱和
测试电路
试验电路
试验电路

标准反馈


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